Устройство с полупроводниковым балластом

Интересным направлением в области применения полупроводниковых приборов в схемах зажигания ламп является создание полупроводникового балласта, который применяется вместо обычного индуктивного балласта [97].
Люминесцентная лампа включена в сеть с помощью накального повышающего трансформатора Т. Первичная обмотка Т подключена к сети через симистор VS1 и конденсатор СЗ. Параллельно симистору VS1 включена цепь Rl, C1 через симметричный динистор VD1. Вторая аналогичная ячейка, состоящая из симистора VS2, динистора VD2 и цепочки R2, С2, включена параллельно накальному трансформатору Т и конденсатору СЗ.
Дроссель L небольшой индуктивности препятствует отпиранию VS2 раньше, чем открылся VS1. При подаче напряжения питания на схему VS1 заперт, ток через резистор R1 заряжает С1. После заряда конденсатора С1 динистор VD1 пробивается, и на управляющий электрод VS1 подается управляющий импульс. VS1 открывается, и через первичную обмотку Т и конденсатор СЗ начинает протекать ток, значение которого ограничивает СЗ.
Во вторичной обмотке Т появляются напряжение и ток, достаточные для зажигания и горения лампы. Одновременно начинается заряд конденсатора С2, пробой динистора VD2 и открывание симистора VS2. Сдвиг по фазе открывания YS2 по отношению к VS1 регулируется индуктивностью дросселя L. При открывании VS2 закрывается VS1, и ток разряда конденсатора СЗ индуктирует в лампе ток в направлении, противоположном первоначальному. После разряда СЗ процесс повторяется. Таким образом, через лампу протекает ток повышенной частоты.
Эта схема эффективна при пониженном напряжении сети и применении для питания лампы повышенной частоты 800...1000 Гц. По сравнению с обычной балластной эта схема имеет преимущества: меньшие потери мощности в ПРА, повышенная световая отдача лампы и больший срок ее службы.

Предыдущая статья     Архив статей     Следующая статья